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1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作--《武...

3)优化的InGaAsP/InP张应变量子阱激光器结构为:应变量1%,阱宽10.5 nm,垒层厚度18nm,阱数3,垒层带隙波长1.15μm。脊形波导结构激光器室温阂值电流为13mA,单个自然解理面的出光...

13μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作 - 豆丁网

2015年3月6日 13μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作,量子阱激光器,激光器,光纤激光器,半导体激光器,co2激光器,二氧化碳激光器,红宝石激光器,固体激光器,氦氖激光...

金锦炎 - 百度学术

1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作 2004 - 金锦炎 - 《《武汉大学》》 - 被引量: 3 收藏相关文章 1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性...

1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计... - 百度学术

《光子学报》 - 2002 - 被引量:6

基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内...

百度学术

1972年国际量子电子学会议技术论文摘要--《电子管技术》19...

4唐田;锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年 5金锦炎;1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作[D];...

混合应变量子阱材料x-射线双晶衍射研究.pdf全文-论文指导...

2017年8月14日 舍应变量子阱结构进行了分析.归纳出了混合应变量子阱结构的x射线双晶衍射曲线满足的规律. 一、前言 混合应变量子阱材料是由压应变量子阱和张应变量子阱两种量...

...1.3 μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器... - 百度学术

马宏 , 易新建 , 金锦炎 - 《中国激光》 - 2002

通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料,通过X射线双晶衍射,光荧光,二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降低...

百度学术

GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能光致发光的研究--《第11届全...

1金锦炎;1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作[D];武汉大学;年 2屈媛;纤锌矿氮化物量子阱中电子迁移率及应变和压力调制[D];内蒙古大学;年 3徐枝新;耦合量子阱能...

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析 - 百度学术

张哲民 , 金锦炎 - 《Journal of Semiconductors》 - 1999

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器,并对其进行了测试和分析,偏振P-I曲线表明这种激光器的TE和TM激射模式分别对应于不同的阈值电流,TM模式的阈值电流在...

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1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析 - 百度学术

张哲民 , 金锦炎 , 黄格凡 - 《Journal of Semiconductors》 - 1999

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器,并对其进行了测试和分析.偏振P-I曲线表明这种激光器的TE和TM激射模式分别对应于不同的阈值电流,TM模式的阈值电流在...

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